20世紀(jì)50年代末,半導(dǎo)體硅晶閘管的出現(xiàn)標(biāo)志著以固態(tài)半導(dǎo)體器件為核心的現(xiàn)代電力電子學(xué)的開始,引起了感應(yīng)加熱電源技術(shù)以致整個(gè)電力電子學(xué)領(lǐng)域的一場(chǎng)革命,同時(shí)感應(yīng)加熱電源及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展。1890年瑞典技能人員發(fā)明晰第一臺(tái)感應(yīng)熔煉爐 ——開槽式有芯爐， 1916年美國(guó)人發(fā)明晰閉槽有芯爐，從此感應(yīng)加熱技能逐漸進(jìn)入實(shí)用化期間。

　　70年代末80年代初,現(xiàn)代半導(dǎo)體集成技術(shù)與 功率半導(dǎo)體技術(shù)相結(jié)合,開發(fā)出了一大批新型的電力電子半導(dǎo)體器件,為高頻領(lǐng)域感應(yīng)加熱電源的研制提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。20世紀(jì)電力電子器材和技能的飛速開展，極大地推進(jìn)了感應(yīng)加熱技能的開展。

　　1957年，美國(guó)研宣布作為電力電子器材里程碑的晶閘管，標(biāo)志著現(xiàn)代電力電子技能的開端，也引發(fā)了感應(yīng)加熱技能的革新。1966年，瑞士和西德首要使用晶閘管研發(fā)感應(yīng)加熱設(shè)備，從此感

　　應(yīng)加熱設(shè)備開啟飛速開展。

　　20世紀(jì)80年代中期,西歐國(guó)家就研制出了用功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)作開關(guān)管的高頻電源,其頻率為200kHz左右,功率可達(dá)數(shù)千瓦[2]。之后GTO、MOSFET、IGBT、M CT及 SIT等器材相繼呈現(xiàn)。

　　感應(yīng)加熱設(shè)備也逐漸摒棄晶閘管，開端選用這些新器材。如今比擬常用的是IGBT和MOSFET， IGBT用于較大功率場(chǎng)合，而MOSFET用于較高頻率場(chǎng)合。據(jù)報(bào)道，國(guó)外可以選用IGBT將感應(yīng)加熱設(shè)備

　　做到功率超越1000kW ，頻率超越50kHz。而MOSFET較適用高頻場(chǎng)合，通常使用在幾千瓦的中小功率場(chǎng)合，頻率可到達(dá)500kHz以上，乃至幾兆赫茲。可是國(guó)外也有推出選用 MOSFET的大功率的感

　　應(yīng)加熱設(shè)備，比方美國(guó)研發(fā)的2000kW /400kHz的設(shè)備。

　　我國(guó)感應(yīng)熱處置技能的真實(shí)使用始于1956年，早年蘇聯(lián)引進(jìn)，首要使用在汽車工業(yè)。跟著 20世紀(jì)電源設(shè)備的制作，感應(yīng)淬火工藝配備也緊隨其后得到開展。如今國(guó)內(nèi)感應(yīng)淬火工藝配備制

　　作業(yè)也日益擴(kuò)展，產(chǎn)品品種多，本來(lái)需求進(jìn)口的配備，逐漸被國(guó)產(chǎn)品所替代，在為國(guó)家節(jié)約外匯的一起，開展了國(guó)內(nèi)的相關(guān)企業(yè)。當(dāng)前感應(yīng)加熱制作業(yè)的效勞方針首要是汽車制作業(yè)，往后現(xiàn)代

　　冶金工業(yè)將對(duì)感應(yīng)加熱有較大需求。

　　根據(jù)交變電流的頻率的高低，可將感應(yīng)加熱熱處理分為超高頻、高頻、超音頻、中頻、工頻 5類。

　　①超高頻感應(yīng)加熱熱處理所用的電流頻率高達(dá)27兆赫，加熱層極薄，僅約0.15毫米，可用于圓盤鋸等形狀復(fù)雜工件的薄層表面淬火。

　　②高頻感應(yīng)加熱熱處理所用的電流頻率通常為200～300千赫,加熱層深度為0.5～2毫米,可用于齒輪、汽缸套、凸輪、軸等零件的表面淬火。

　　③超音頻感應(yīng)加熱熱處理所用的電流頻率一般為20～30千赫，用超音頻感應(yīng)電流對(duì)小模數(shù)齒輪加熱，加熱層大致沿齒廓分布，粹火后使用性能較好。

　　④中頻感應(yīng)加熱熱處理所用的電流頻率一般為2.5～10千赫,加熱層深度為2～8毫米，多用于大模數(shù)齒輪、直徑較大的軸類和冷軋輥等工件的表面淬火。

　　⑤工頻感應(yīng)加熱熱處理所用的電流頻率為50～60赫，加熱層深度為10～15毫米，可用于大型工件的表面淬火。